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內存廠壟斷先進工藝賺大錢,電子整機廠將深受其害

2018-01-16 10:44:55 文章出處:京瓷電子    作者:Admin    瀏覽次數:67
根據市場分析師表示,動態隨機存取內存(DRAM)和NAND的價格正居高不下,而且預計還會更進一步攀升。許多人認為目前的內存市場情況只是暫時的供需不均衡?;蛘?,他們預期當3D NAND閃存(flash)的制造趨于成熟后,就能解決目前的市場情況。然而,以DRAM的市況而言,沒人能知道DRAM供應何時會改善。

從需求面來觀察,雖然一些細分市場正在成長,但并未出現殺手級的應用或是特別繁榮的細分市場。因此,問題應該就出在供應面。

據美光(Micron)表示,2017年DRAM供給位預計成長15-20%,可說是近20年來最低的位成長率(bit growth)。較低的位成長率,主要源于DRAM微縮限制。市場上有好一段時間都沒有任何有關DRAM微縮的消息了。當供給位成長低于45%時,這就是一個賣方的市場了。因此,DRAM的寡頭壟斷、低位成長率,以及制造擴張遲緩,導致長期的供應吃緊。最終,可能只是DRAM的價格持續增加,而供應面卻不會有任何改善。 20170906-DRAM-1 NAND市場競爭激烈?;?D NAND將大幅提高生產力的市場預期,所有的NAND廠商都投入了數十億美元于3D NAND制造。因此,供應過剩預計將持續一段時間。然而,這種期待只是一種假象。3D NAND的制造比先前所想象的要困難得多。目前,幾家NAND供貨商都得使勁地推出3D NAND。

許多分析師預計,大約在2018年底,當64層和96層3D NAND閃存的制造趨于成熟時,市場供應吃緊的情況將會緩解。因此,明年將會有足夠的NAND供應嗎?如圖所示,平面NAND的橫向微縮(即摩爾定律)以2的N次冪方式呈指數級增加位單元。相對地,3D NAND的單元層數(即垂直微縮)則線性增加位單元。目前,根據摩爾定律,平面NAND符合位單元的指數級需求成長。然而,平面NAND面對微縮限制,3D NAND僅以線性位成長率,將難以達到市場的需求。 20170906-DRAM-2 64層3D NAND最終將達到與平面NAND平價。對于雙倍和四倍的內存容量,3D NAND應該分別有128層和256層??紤]到長期累積的產量損失、制造困難和低晶圓產出效率,超過64層的內存容量擴展對于3D NAND來說是一大挑戰。如果3D NAND在第1層達到與平面NAND平價,那么垂直擴展記體容量就會更容易多了。

如同所討論的,內存價格較高不再只是因為供需失衡。從現在開始,我們很難看到內存價格降下來,因為內存價格如此之高,主要源于內存組件的微縮限制。很諷刺地,內存供貨商卻以這種內存微縮的限制來賺大錢。從2017年上半年的前五大半導體供貨商排名來看,其中有三家就是內存供貨商。例如,海力士(SK Hynix)和Micro極其仰賴于DRAM,因為這兩家公司的營收分別有75%和65%都來自DRAM市場。 20170906-DRAM-3 目前,買家掌控了內存價格,并將內存產品視為商品。如今正是內存供貨商的黃金時代,高昂的內存價格將成為買家的負擔。沒錯,由于內存微縮的限制,內存將成為賣方市場。我們如何找到可解決高內存價格的解決方案呢?

在2016和2017年,如ITRS和IRDS等技術開發藍圖強烈建議為連續的晶體管微縮采用全包覆式(GAA)晶體管與單片3D (M3D) IC,從而降低制造成本。因此,客戶應該主動尋求利用‘GAA + M3D’的超低成本內存組件。否則,客戶將會為內存組件付出更多的費用,而如此高的內存價格也將會為大部份電子設備和系統帶來問題。

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